قالت شركة Samsung، إنها طورت ذاكرة DRAM ذات معدل بيانات مزدوج 5 (DDR5) مصنوعة من عقدة معالجة فئة 12 نانومتر.
وفقًا لعملاق التكنولوجيا الكوري الجنوبي، تم التحقق من ذاكرة DDR5 DRAM بسعة 12 نانومتر 16 جيجا بايت مع شركة AMD المصنعة لوحدة المعالجة المركزية، ومن المقرر أن يبدأ الإنتاج الضخم العام المقبل.
وأوضحت سامسونج أن هذه القفزة التقنية تحققت من خلال استخدام مادة جديدة عالية الجودة تزيد من سعة الخلية، وتقنية التصميم الخاصة بها التي تعمل على تحسين خصائص الدائرة الحرجة.
وقالت سامسونج إنها طبقت مادة جديدة عالية الجودة لزيادة حجم المكثف وطبقت تصميمات جديدة لإكمال عقدة العملية الجديدة في فئة 12 نانومتر من فئة 16 جيجا بايت DDR5 DRAM. وأضافت أنها طبقت أيضًا الطباعة الحجرية فوق البنفسجية (EUV) لتحقيق "أعلى كثافة في الصناعة".
لتضمن أن تصلك جديد مقالات ودروس تقنية اون لاين عليك القيام بثلاث خطوات : قم بالإشتراك فى صفحتنا فى الفيس بوك "الافضل للتقنية " . قم بالإشتراك فى القائمة البريدية أسفل الموقع وسيتم إرسال إيميل لك فور نشر درس جديد . للحصول على الدروس فيديو قم بالإشتراك فى قناتنا على اليوتيوب "قناة تقنية اون لاين " . من فضلك إذا كان عندك سؤال مهما كان بسيطاً تفضل بكتابته من خلال صندوق التعليقات أسفل الموضوع . قم بنشر مقالات اتقنية اون لاين على الفيس بوك أو ضع رابطاً للمدونه فى مدونتك .تحياتى لكم from واتس آب ، فيسبوك ، أنترنت ، شروحات تقنية حصرية - المحترف
0 التعليقات:
إرسال تعليق